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NXP Semiconductors
MMBZxAL series
Low capacitance unidirectional double ESD protection diodes
Table 6. Limiting values …continued
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
T j
T amb
T stg
Parameter
junction temperature
ambient temperature
storage temperature
Conditions
Min
-
? 55
? 65
Max
150
+150
+150
Unit
° C
° C
° C
[1]
[2]
[3]
[4]
In accordance with IEC 61643-321 (10/1000 μ s current waveform).
Measured from pin 1 or 2 to pin 3.
Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and
standard footprint.
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for cathode 1 cm 2 .
Table 7. ESD maximum ratings
T amb = 25 ° C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Per diode
V ESD
electrostatic discharge
IEC 61000-4-2
[1][2]
-
30
kV
voltage
(contact discharge)
machine model
[2]
-
2
kV
[1]
[2]
Device stressed with ten non-repetitive ESD pulses.
Measured from pin 1 or 2 to pin 3.
Table 8.
Standard
Per diode
ESD standards compliance
Conditions
MMBZXAL_SER_2
IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)
MIL-STD-883; class 3 (human body model)
> 15 kV (air); > 8 kV (contact)
> 8 kV
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 10 December 2009
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